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可移動的源法蘭和上下分體式冷屏、
可配備12個源口、
冷屏可在1個工作日內更換、
可用于外延生長GaAs, GaSb, InP, CdTe, HgCdTe, ZnO and GaN材料、
適用于用于4”, 3”，2”襯底尺寸
?可移動的源法蘭和上下分體式冷屏
?可提供兩套冷屏
?冷屏可在2個工作日內更換
?可用于外延生長GaAs, GaSb, InP, GaN材料
?適用于用于4×4”, 7×3”, 1 x 200 mm, 1×6” and 14×2”襯底尺寸
TheIMCseriesaddressesthelackofmodernequipmentfornewtypeofproductionimplantsandadvancedresearch.??TheIMCtoolhasbeendesignedtobeeasytouse,??easytomaintain,andwithhighreliability.Offers×?Upto4activegasli
>?注入離子能量200KeV或400KeV雙電荷注入可達到800KeV三電荷注入可達到1200KeV>?IHC離子源>?擴大的注入離子裝載能力????可同時配有4個2.2L氣罐????可配有4路惰性氣路>?注入離子的原子質量可達到218AMU>?同時具備所有IMC的特點
Plasmaimmersionionimplantationisaversatileprocesstechnologywithwideapplicationsinmicroelectronicsprocessing&materialsengineering.Offers×?Simultaneousimplantationofthefullwafer×?Ultralowenergy(downto30
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